质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性

编号 zgly0000989591

文献类型 期刊论文

文献题名 质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性

作者 姜柯  陆妩  马武英  郭旗  何承发  王信  曾俊哲  刘默涵 

作者单位 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室  中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室  中国科学院大学 

母体文献 原子能科学技术 

年卷期 2015(11)

页码 2087-2092

年份 2015 

关键词 PNP输入双极运算放大器  质子辐射  60 Coγ射线辐射  辐射效应 

文摘内容 对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重;相同等效总剂量条件下,10 MeV质子造成的损伤较3 MeV质子的高;质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。