对具有结终端保护的4H-SiC肖特基势垒二极管的研究

编号 zgly0000717785

文献类型 期刊论文

文献题名 对具有结终端保护的4H-SiC肖特基势垒二极管的研究

作者 张发生  李欣然 

作者单位 中南林业科技大学计算机与信息工程学院  湖南大学电气与信息工程学院 

母体文献 中南林业科技大学学报: 自然科学版 

年卷期 2010,30(5)

页码 179-183

年份 2010 

分类号 TN311 

关键词 肖特基势垒二极管  结终端技术  模拟  反向耐压  工艺 

文摘内容 在对4H—SiC高压肖特基势垒二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的4H—SiC高压肖特基势垒二极管耐压特性进行了模拟仿真计算,并取得了很多有价值的计算结果。利用平面制造工艺,结合仿真提取的参数,试制了4H—SiC肖特基势垒二极管。实验测试结果表明,仿真计算的结果与实际样品测试的数据一致性较好,实测器件反向耐压值已达到1 800 V。