不同基质与栽培措施对霍山石斛生长的影响

编号 zgly0001413193

文献类型 期刊论文

文献题名 不同基质与栽培措施对霍山石斛生长的影响

作者 徐光涛  李春生 

作者单位 安徽省林业高科技开发中心 

母体文献 林业科技开发 

年卷期 2012年04期

年份 2012 

分类号 S567.239 

关键词 霍山石斛  基质  栽培措施  成活率  生长量 

文摘内容 研究了不同基质和栽培措施下,霍山石斛组培苗在温室内的生长情况。结果表明,在9种不同基质和4种不同栽培措施的处理下,霍山石斛的各项生长指标有显著差异(P=0.000 1<0.01)。(1)炼苗成活率:以C-f组合最高(96%),其次是C-g组合和D-f组合(92%)。(2)茎生长:新茎数以C-f组合为最高(36枝);茎高各处理差异不大,以C-f组最高(13.5 mm);茎粗以C-f和D-h组合表现较好。(3)根生长:新根数以C-f组合为最多(38.1根),其次C-g组合(36.7根);根长以C-g组合为最高(17 mm),其次C-d组合(16.9 mm);根粗以C-h和D-f组合(1.6 mm)为好。(4)苗木根茎比:以基质C-d组合为最高,其次是D-d、B-d。因此,在培育霍山石斛组培苗时,采取C处理(包根、喷施JT溶液)和f基质(树皮碎屑、米心石质量比2∶1)是提高炼苗成活率和促进苗木健康生长的最佳栽培措施。