NO在MgO(001)缺陷表面吸附解离的量子化学研究

编号 zgly0000336044

文献类型 期刊论文

文献题名 NO在MgO(001)缺陷表面吸附解离的量子化学研究

作者 徐艺军  陈文凯  章永凡  李俊篯 

作者单位 福州大学化学系 

母体文献 结构化学 

年卷期 2004,23(2)

页码 192-196

年份 2004 

分类号 X517  O614.22 

关键词 一氧化氮  氧化镁  缺陷表面  吸附  解离  量子化学  密度泛函  嵌入点电荷簇模型  催化活性  氮氧化物  酸雨 

文摘内容 在密度泛函理论框架下, 采用嵌入点电荷簇模型研究了NO在MgO(001)完整和缺陷表面上的吸附。研究结果表明: 具有氧缺陷结构表面的催化活性较高, 有利于NO键的削弱; 当另一个NO分子进攻已吸附的NO分子时, NO键将进一步削弱, 直致断裂, 并伴有N2O产生, 这与UPS和MIES实验观察到的现象一致。Mulliken布居分析指出, 底物电子向NO转移, 并填充到NO的π^*反键轨道上, 从而导致NO键的削弱, 并形成NO^-。这也是可能导致形成NO^-的原因。研究还表明, 具有镁缺陷的MgO(001)表面对NO的解离没有催化活性。