N^＋注入对甘草多糖及耐渗透胁迫的影响

编号 zgly0000518199

文献类型 期刊论文

文献题名 N^＋注入对甘草多糖及耐渗透胁迫的影响

作者 魏胜林  吴李君  余增亮 

作者单位 苏州大学城市科学学院  中国科学院等离子体物理研究所中国科学院离子束生物工程学重点实验室 

母体文献 辐射研究与辐射工艺学报 

年卷期 2007,25(5)

页码 271-274

年份 2007 

分类号 S567.239.01  Q947.8 

关键词 甘草  渗透胁迫  N^＋注入  多糖 

文摘内容 为研究N^＋注入对植物耐早性的影响，实验以甘草为试材，以15％聚乙二醇(Polyethylene glycol，PEG)为渗透胁迫培养条件，研究不同能量的低能N^＋注入对甘草耐渗透胁迫的影响。结果表明，对甘草干种子注入总剂量为4．68×10^16／cm^-2，在15％PEG的渗透胁迫下，20keV的N^＋注入与对照相比，甘草株高生长增加40．2％(p〈0．01)，叶内多糖含量增加84．8％(p〈0．01)；在渗透胁迫下，株高生长和叶内多糖含量呈极显著正相关(r=0．7166，p〈0．01)这一N^＋的注入参数可供提高甘草耐早性种植，发挥当代刺激效应，对甘草进行离子束注入时参考。