α－Si3N4晶须、晶柱与生长温度关系的研究

编号 zgly0001172059

文献类型 期刊论文

文献题名 α－Si3N4晶须、晶柱与生长温度关系的研究

作者 徐功骅  来月英  刘艳生  尉京志  吴华武  张克宏 

作者单位 清华大学化学系  同济大学化学系 

母体文献 复合材料学报 

年卷期 1996年01期

年份 1996 

分类号 TN304.054 

关键词 晶须  晶柱  α－Si3N4 

文摘内容 本文采用无定形氮化硅超细粉制备α－Ｓｉ３Ｎ４晶须和晶柱，并对生长温度对晶须中的缺陷的影响进行了研究。结果表明：晶须生长时能否得到完整的晶体，与其生长温度有关，只有某一温度范围（１４３０℃±３０℃）生长时，才能得到比较完整的晶体，晶须的生长温度太高或太低均会引起晶体生长的不完整性，晶须中会出现大量的缺陷，温度继续升高时，在晶须中又出现了晶粒，继而生长成晶柱。