热蒸发法碳化硅纳米晶须阵列的合成与表征

编号 zgly0001330111

文献类型 期刊论文

文献题名 热蒸发法碳化硅纳米晶须阵列的合成与表征

作者 林晶  陈建军  杨光义  吴仁兵  翟蕊  吴玲玲  潘颐 

作者单位 浙江大学材料科学与工程系  浙江理工大学材料工程中心  浙江大学材料科学与工程系 杭州310027  杭州310018  杭州310027 

母体文献 复合材料学报 

年卷期 2007年05期

年份 2007 

分类号 TB383.1 

关键词 碳化硅  晶须  气固反应机理 

文摘内容 在1600℃不同真空度下,采用热蒸发硅的方法,在石墨基板和聚丙烯腈(PAN)炭纤维两种碳源基体原位生长具有一定取向的碳化硅纳米晶须——垂直于石墨片表面森林状和试管刷状碳化硅纳米晶须阵列。通过X射线衍射及场发射扫描电镜,发现晶须为3C-SiC,直径约100 nm,长度约50μm。炭纤维表面的产物顶端多为针尖状,而石墨片表面的产物多为六方棱柱状。因其纳米尺寸效应,在380 nm波长的光激发下,所制晶须在波长为468 nm附近出现光致发光峰。透射电镜、多点衍射电子衍射图表明,所制得的3C-SiC晶须为单晶,其生长方向为3C-SiC的[111]方向。基于反应过程中硅熔体与碳源分离的事实,讨论了3C-SiC晶须阵列生长的气固反应机理。